GA10JT12-247
GeneSiC Semiconductor
Deutsch
Artikelnummer: | GA10JT12-247 |
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Hersteller / Marke: | GeneSiC Semiconductor |
Teil der Beschreibung.: | TRANS SJT 1200V 10A TO247AB |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | - |
Vgs (Max) | - |
Technologie | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
Supplier Device-Gehäuse | TO-247AB |
Serie | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 140mOhm @ 10A |
Verlustleistung (max) | 170W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | TO-247-3 |
Paket | Tube |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Betriebstemperatur | 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Typ FET | - |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | - |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 1200 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 10A (Tc) |
GA10JT12-247 Einzelheiten PDF [English] | GA10JT12-247 PDF - EN.pdf |
CAP 170MF 2.5V -40-+70C
SCR 60V 200MA TO18
PLCC28 TQS
TEMP PROBE
GA1013 MUSTEK
TEMP PROBE 5X20MM 1 METER LEAD
SHAFT, 1.0000 DIA. X 48IN LG
SHAFT, 1.0000 DIA. X 18IN LG
IGBT Modules
IGBT Modules
IGBT Modules
IGBT Modules
THERMISTOR NTC 10KOHM 3976K BEAD
TRANS SJT 1200V 25A
IGBT Modules
SHAFT, 1.0000 DIA. X 12IN LG
SHAFT, 1.0000 DIA. X 24IN LG
THERMISTOR NTC 10KOHM 3976K BEAD
SHAFT, 1.0000 DIA. X 36IN LG
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() GA10JT12-247GeneSiC Semiconductor |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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